准备好了吗 明年智能手机将出现512GB高速闪存！

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[摘要]目前智能手机的UFS存储能力在读写性能上分别为50000/40000 IOPS，而根据最新的消息来看，明年亮相的全新存储方案将很有可能继续提高到19000/14000 IOPS。

腾讯数码讯（言言）没错，智能手机配置的发展速度之快，我们已经开始适应了，但是未来如果发展速度变得更快，你是否还会如此淡定？目前智能手机的UFS存储能力在读写性能上分别为50000/40000 IOPS，而根据最新的消息来看，明年亮相的全新存储方案将很有可能继续提高到19000/14000 IOPS（每秒输入/输出）。

当初，三星在Galaxy S6上首次使用了UFS存储技术，要比eMMC标注高出了很多。随后UFS技术在不断改进后，带来了UFS 2.1技术，而除了上面提到更快的输入/输出速度之外，最高的存储容量也支持到了512GB。而这与目前eMMC 5.1相比，速度快了接近三倍。同时在未来五年里，这项技术将彻底取代现有的eMMC技术。

据悉，最新的UFS 2.1将在今年年底开始生产，目前已经处于合作伙伴的洽谈中。

来源：phonearena

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