主页（http://www.175shouji.com）：长鑫LPDDR4X内存取得进展：国产二线品牌手机或率先采用
根据此前消息，长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
据消息人士透露，位于合肥的长鑫存储公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗内存的研发上取得进展，它将吸引国产二线品牌在手机上采用。
长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
本月初，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
