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中国内存、闪存双双突破!国产手机不再被卡脖子,三星将受冲击

2020-06-04 11:35 出处:互联网 人气: 评论(
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这些年中国半导体行业迎来最好的时刻,越是被限制,越是能突围。而说起内存、闪存,过去一直被三星等垄断,国产手机不得不依靠海外供应链。尤其是当前华为手机再次遭遇新的发展困境,而国产化尤为重要。

原创 中国内存、闪存双双突破!国产手机不再被卡脖子,三星将受冲击

2020-05-31 20:08 来源:科技范

我们常说的内存芯片为DRAM,而闪存芯片为NAND。比如一台智能手机,就得靠这两个协同,一部入门版的iPhone 11就配置了4GB DRAM(运行内存)和 64 GB NAND(闪存)。其他国产手机同样需要。而目前,无论是DRAM还是NAND,国内产品的市场占有率都被列为其它。

随着国产存储产业的做大做强,世界局面真的要改变了。考虑到国产内存才几年时间,就基本达到了这个主流水准,已经是相当不错了,另外我想这对于三星来讲,肯定是个坏消息,毕竟三星是DRAM的王者,一旦国产内存实现了从0到1的突破,到1到10就容易了,三星必然受冲击的。返回搜狐,查看更多

原标题:中国内存、闪存双双突破!国产手机不再被卡脖子,三星将受冲击

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再来看看NAND领域!这个领域过去基本被三星、东芝、美光公司占领了绝大部分市场,不过国产虽然落后但是已紧跟步伐。长江存储成立7个月后,32层3D NAND测试芯片设计完成,第二年,长江存储实现了64层NAND的流片。就在今年4月,长江存储宣布128层研发成功、通过客户验证。就在今年4月,长江存储宣布128层研发成功、通过客户验证。虽然总体进度上落后三星2年,但是这个追跑速度已经非常大了。

先来看看国产DRAM领域,合肥长鑫的牵头人是前中芯国际CEO王宁国,他在中芯国际就职时就主导过代工DRAM。兆易创新主要产品是小众的存储芯片Nor Flash,技术还是有的。在做大DRAM的梦想支持下,合肥长鑫和兆易创新在2017年正式牵手。2019年10月,合肥长鑫发布了量产的19nm工艺、8GB DDR4规格内存条引起了一番好评。

不得不说国产内存、闪存已经取得了不错的成绩,让中国存储看到了希望。而世界存储市场迎来了中国这个重量级玩家,中国手机品牌也将逐步摆脱国外内存的控制。

好的消息是当前国产内存、闪存双双突破!其中"合肥长鑫+兆易创新"挑战DRAM领域,"长江存储+紫光集团"挑战NAND领域。

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